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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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76137S-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 76137S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號:76137S-VB  
封裝:TO263  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):30V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.7V  
導通電阻(RDS(ON)):2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):98A  
技術:Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO263,適合中高功率應用,具有良好的散熱性能和機械強度。
 
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于高效的功率開關和控制電路設計。

- **耐壓(VDS):** 30V,能夠處理中低電壓范圍的電路需求。

- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的柵極驅(qū)動電壓范圍。

- **閾值電壓(Vth):** 1.7V,設定了啟動MOSFET導通的門電壓。

- **導通電阻(RDS(ON)):** 在不同的柵極驅(qū)動電壓下,分別為2.7mΩ @ VGS=4.5V 和 2.4mΩ @ VGS=10V,表現(xiàn)出低導通電阻,有助于降低功耗和熱損失。

- **漏極電流(ID):** 98A,適合需要處理高電流負載的應用場合。

- **技術特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構,提升了器件的開關速度和可靠性。

### 應用示例:

1. **電源管理系統(tǒng):** 76137S-VB可用于電源管理單元和電壓調(diào)節(jié)器中,確保穩(wěn)定的電壓輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。

2. **電池管理系統(tǒng):** 在電動工具、電動汽車和便攜式設備中,這款MOSFET可以用于電池管理系統(tǒng),支持高效的充放電控制。

3. **服務器和數(shù)據(jù)中心設備:** 在高性能計算機和服務器的電源模塊中,76137S-VB能夠提供可靠的功率開關和散熱管理,確保設備長時間穩(wěn)定運行。

76137S-VB結(jié)合了低導通電阻和高電流承載能力,適合于需要高功率密度和可靠性的功率電子應用領域。

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