91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

78N03RG-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 78N03RG-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

78N03RG-VB是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高效能和高可靠性應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和高電流處理能力,是各種開關(guān)和功率管理應(yīng)用的理想選擇。其溝槽(Trench)技術(shù)確保了在各種工作條件下的穩(wěn)定性能和長(zhǎng)壽命。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:78N03RG-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**
  - **直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)**:78N03RG-VB適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,因其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,可以有效提高轉(zhuǎn)換效率并降低功耗。
  - **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,78N03RG-VB可用作開關(guān)元件,以高效管理充電和放電過程,延長(zhǎng)電池壽命。

2. **汽車電子**
  - **電子控制單元(ECU)**:在汽車電子控制單元中,該MOSFET可用于電源分配和電機(jī)控制模塊,確保系統(tǒng)可靠運(yùn)行。
  - **車載充電器(OBC)**:78N03RG-VB適用于車載充電器中的功率轉(zhuǎn)換部分,提供高效的電能傳輸。

3. **工業(yè)控制**
  - **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該器件適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,特別是在需要高電流和低損耗的應(yīng)用中,如機(jī)器人控制和自動(dòng)化系統(tǒng)。
  - **不間斷電源(UPS)**:在UPS系統(tǒng)中,78N03RG-VB可以用作高效的功率開關(guān),確保關(guān)鍵設(shè)備在斷電時(shí)的持續(xù)運(yùn)行。

78N03RG-VB憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,是各種高要求電力電子系統(tǒng)的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量