91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

7N52K3-VB TO220F一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 7N52K3-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**7N52K3-VB** 是一款由 VBsemi 提供的單通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝。它具有高擊穿電壓和適中的導(dǎo)通特性,適合于需要處理高電壓和低功率的電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單通道 N 型
- **擊穿電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**7N52K3-VB** MOSFET 的特性使其適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源逆變器**: 由于其高擊穿電壓和適中的導(dǎo)通電阻,**7N52K3-VB** 可以用于太陽能逆變器和工業(yè)逆變器中的功率開關(guān)和控制電路。它能夠處理高電壓下的功率轉(zhuǎn)換,確保能量轉(zhuǎn)換的高效率和可靠性。

2. **電動(dòng)汽車充電樁**: 在電動(dòng)汽車充電樁中,這款 MOSFET 可以用作開關(guān)器件,幫助控制充電過程中的電流和電壓,確保充電樁的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能充電。

3. **工業(yè)電源設(shè)備**: **7N52K3-VB** 可以在工業(yè)電源設(shè)備中作為電源管理和控制模塊的一部分,用于控制和保護(hù)電源的穩(wěn)定輸出,適用于各種工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)。

4. **電力電子開關(guān)**: 在需要高電壓開關(guān)能力的電力電子應(yīng)用中,如高壓直流電源和電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng),這款 MOSFET 可以提供可靠的開關(guān)和調(diào)節(jié)功能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

5. **電源適配器**: 在低功率設(shè)備的電源適配器中,**7N52K3-VB** 可以用作開關(guān)電路的關(guān)鍵組成部分,幫助實(shí)現(xiàn)緊湊型和高效率的電源適配器設(shè)計(jì)。

綜上所述,**7N52K3-VB** 是一款高電壓應(yīng)用和低功率處理的理想選擇,適用于多種要求穩(wěn)定性能和高效能的電子設(shè)備和系統(tǒng)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量