91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

7NE10L-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 7NE10L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、7NE10L-VB 產(chǎn)品簡介

7NE10L-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝形式為TO220。具有100V的耐壓能力和低導(dǎo)通電阻特性,適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定電源控制的應(yīng)用場合。

### 二、7NE10L-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **耐壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **門限電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:127mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、7NE10L-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

7NE10L-VB 可以在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中廣泛應(yīng)用,以下是幾個(gè)典型的示例:

1. **電動(dòng)車輛**:
  在電動(dòng)汽車的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,7NE10L-VB 可用作電動(dòng)機(jī)控制器的功率開關(guān)器件。其高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻特性可以提供高效能量轉(zhuǎn)換和快速響應(yīng)的電動(dòng)車輛動(dòng)力系統(tǒng)。

2. **工業(yè)電源模塊**:
  在工業(yè)控制系統(tǒng)的電源模塊和變頻器中,7NE10L-VB 可提供穩(wěn)定的電源管理解決方案。其高電流處理能力和Trench技術(shù)保證了設(shè)備的長期可靠性和穩(wěn)定性。

3. **LED驅(qū)動(dòng)器**:
  在LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)器中,7NE10L-VB 可用于電流控制和管理,確保LED燈具的穩(wěn)定和高效運(yùn)行。其低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力使其適合于高亮度LED應(yīng)用。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品如電源適配器和電池充電器中,7NE10L-VB 可提供緊湊型設(shè)計(jì)和高效的電源管理解決方案。其TO220封裝和Trench技術(shù)使其適用于各種功率需求較低的應(yīng)用場景。

7NE10L-VB 作為一款具有高性能和穩(wěn)定性的單N溝道MOSFET,適合于各種需要高功率和高效能量轉(zhuǎn)換的電子應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量