--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**產(chǎn)品型號(hào):** 9922GEO-VB
**封裝形式:** TSSOP8
**配置:** 共漏極N+N溝道MOSFET
**技術(shù):** Trench技術(shù)
9922GEO-VB是一款采用Trench技術(shù)的共漏極N+N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于需要高效能和可靠性的電源管理和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **VDS(漏源極電壓):** 30V
- **VGS(柵源極電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):**
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏極電流):** 8.6A

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
9922GEO-VB適用于多種功率管理和開(kāi)關(guān)控制領(lǐng)域,具體應(yīng)用包括但不限于:
- **電源管理和供電系統(tǒng):** 在DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器和開(kāi)關(guān)電源中,用于提升能源轉(zhuǎn)換效率和電源穩(wěn)定性。
- **電動(dòng)工具和家電:** 作為電動(dòng)工具電機(jī)控制和家用電器的電源管理部件,提高設(shè)備的功率密度和能效。
- **車(chē)載電子:** 用于車(chē)輛電子系統(tǒng)中的電池管理、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制。
- **工業(yè)自動(dòng)化:** 在工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化設(shè)備和電力工具中,用于高性能電動(dòng)驅(qū)動(dòng)和精確控制。
綜上所述,9922GEO-VB因其低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,是功率管理和開(kāi)關(guān)控制系統(tǒng)中的理想選擇,能夠提升系統(tǒng)的效率和性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛