--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
9971GD-VB是一款雙N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,封裝形式為DIP8。這款MOSFET在60V的漏源電壓(VDS)下運(yùn)行,柵源電壓(VGS)最大可達(dá)±20V。其具有低導(dǎo)通電阻特性,在VGS=4.5V時(shí),RDS(ON)為45.6mΩ;在VGS=10V時(shí),RDS(ON)為38mΩ,能夠提供高效的電流傳輸和低損耗。其額定漏極電流(ID)為6A,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝形式(Package)**: DIP8
- **配置(Configuration)**: 雙N溝道(Dual-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1~3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 45.6mΩ @ VGS = 4.5V
- 38mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 6A
- **技術(shù)(Technology)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
9971GD-VB MOSFET適用于各種需要高效電流控制的電子設(shè)備和電路模塊。以下是幾個(gè)具體應(yīng)用示例:
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- 在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中,9971GD-VB可用于初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的開(kāi)關(guān)控制,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,用于實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)和電能傳輸,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:
- 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,9971GD-VB可用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié),提供精確的電流控制和低損耗。
- 在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,提供高效的電流控制,提高電機(jī)的響應(yīng)速度和工作效率。
3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
- 作為負(fù)載開(kāi)關(guān),9971GD-VB可用于控制大功率設(shè)備的開(kāi)關(guān),如LED照明系統(tǒng)、電加熱器等,提供高效的電流傳輸和可靠的開(kāi)關(guān)功能。
- 在智能家居設(shè)備中,控制各種家電的電源開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)智能化管理。
4. **保護(hù)電路**:
- 在過(guò)流保護(hù)電路中,9971GD-VB可用于快速切斷電流,保護(hù)設(shè)備免受過(guò)流損害。
- 在電池管理系統(tǒng)中,提供過(guò)充、過(guò)放保護(hù)功能,延長(zhǎng)電池壽命。
9971GD-VB憑借其優(yōu)異的電性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于需要高效電流控制和低損耗的各類電子設(shè)備和電路模塊中,是工程師們實(shí)現(xiàn)高效電能管理和可靠電流控制的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛