--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-P+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介詳
**AFP3993TS6RG-VB MOSFET**
AFP3993TS6RG-VB是一款雙P溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。它具有負漏源電壓和優(yōu)異的導通特性,適用于需要高效能和高性能的電子系統設計。
### 詳細的參數說明
- **封裝類型**: SOT23-6
- **晶體管配置**: 雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS=2.5V
- 75mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術類型**: Trench(溝槽)

### 應用領域和模塊舉例
**電源管理**:
AFP3993TS6RG-VB適用于負漏源電壓的電源管理電路,如電池管理系統和便攜式電子設備的電源開關。其優(yōu)異的導通特性和小型封裝使其在空間受限和功耗敏感的應用中表現突出。
**電路保護**:
在各種電子設備中,AFP3993TS6RG-VB可用于電路保護,特別是需要保護負漏源電壓下的電路免受過電流和過電壓的損害的應用場景。
**傳感器接口**:
在傳感器接口電路中,AFP3993TS6RG-VB的快速開關特性可以確保傳感器信號的精確捕捉和處理,適用于各種傳感器驅動和信號調理應用。
**便攜式醫(yī)療設備**:
由于其小型封裝和低功耗特性,AFP3993TS6RG-VB非常適合用于便攜式醫(yī)療設備的電源管理和電路保護,確保設備在醫(yī)療環(huán)境中的穩(wěn)定運行和高效能表現。
綜上所述,AFP3993TS6RG-VB作為一款雙P溝道MOSFET,由于其負漏源電壓和優(yōu)異的電氣特性,在電源管理、電路保護、傳感器接口和便攜式醫(yī)療設備等多個領域均有廣泛的應用前景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12