91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AM20N10-250D-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AM20N10-250D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳

**AM20N10-250D-VB MOSFET**

AM20N10-250D-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它具有高達(dá)100V的漏源電壓 (VDS) 能力,適合中高壓應(yīng)用環(huán)境。該器件采用溝槽技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性,適合要求高效能和可靠性的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

### 詳細(xì)的參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **晶體管配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理**:
AM20N10-250D-VB適用于電源管理系統(tǒng)中的開關(guān)電路和功率因素校正(PFC)電路,如高效能電源適配器和開關(guān)電源單元(SMPS)。

**電動工具**:
在電動工具中,如電動鉆、電錘和電動剪等,AM20N10-250D-VB可用于電機(jī)驅(qū)動和電源開關(guān),以提高設(shè)備的效率和可靠性。

**工業(yè)自動化**:
用于工業(yè)自動化設(shè)備中的電機(jī)控制、電源開關(guān)和逆變器電路,AM20N10-250D-VB能夠在高壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能。

**電動車輛**:
在電動汽車和電動自行車的電池管理系統(tǒng)中,AM20N10-250D-VB可以用于功率開關(guān)和電池充放電控制,以確保高效能和長壽命。

綜上所述,AM20N10-250D-VB作為一款高壓單N溝道MOSFET,適用于各種中高壓應(yīng)用環(huán)境,特別適合于電源管理、電動工具、工業(yè)自動化和電動車輛等領(lǐng)域的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    551瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量