--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、AM6922NH-T1-PF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AM6922NH-T1-PF-VB 是一款共源N+N溝道MOSFET,采用TSSOP8封裝,設(shè)計(jì)用于高性能電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件利用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱特性,適合要求高效能和高可靠性的電子設(shè)備和系統(tǒng)。
### 二、AM6922NH-T1-PF-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝形式**:TSSOP8
- **配置**:共源N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±12V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 2.5V
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**:7.6A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、AM6922NH-T1-PF-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**:
AM6922NH-T1-PF-VB 可用于電源管理系統(tǒng)中的多種應(yīng)用,包括開(kāi)關(guān)電源模塊和電池管理系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠在低壓降和高效率要求下工作,例如用于筆記本電腦和平板電腦的電源轉(zhuǎn)換器。
2. **無(wú)線通信設(shè)備**:
在需要穩(wěn)定的功率放大和頻率調(diào)制的無(wú)線通信設(shè)備中,AM6922NH-T1-PF-VB 可作為射頻功率放大器的關(guān)鍵組件。其快速開(kāi)關(guān)特性和低電壓工作能力有助于提升無(wú)線信號(hào)的傳輸效率和數(shù)據(jù)傳輸速率。
3. **醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中,AM6922NH-T1-PF-VB 可以用作精確控制和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的電路部件。例如,用于醫(yī)療影像設(shè)備中的電機(jī)控制和位置調(diào)節(jié)系統(tǒng),確保設(shè)備的精確運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
AM6922NH-T1-PF-VB 的高性能特性和多功能性使其成為各種高端電子設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可或缺的關(guān)鍵元件,能夠提升系統(tǒng)的性能和可靠性,同時(shí)降低能源消耗和熱量排放。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛