--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號**: AM7431P-T1-PF-VB
**封裝**: DFN8(5X6)
**配置**: 單一P溝道MOSFET
AM7431P-T1-PF-VB是一款高性能的單一P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)。它具備-30V的漏極-源極電壓(VDS),能夠承受高達(dá)-60A的漏極電流(ID),適用于需要負(fù)載開關(guān)和高電流驅(qū)動的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: AM7431P-T1-PF-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單一P溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: -30V
- **VGS (柵源電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: -2.5V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 7.8mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: -60A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
**領(lǐng)域一:電源管理**
AM7431P-T1-PF-VB在負(fù)載開關(guān)和電源管理領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。它的高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其特別適合用于負(fù)載開關(guān)電路,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
**領(lǐng)域二:電動汽車**
在電動汽車和混合動力汽車的電動驅(qū)動系統(tǒng)中,AM7431P-T1-PF-VB能夠有效地控制電池電流和功率分配。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電動汽車的驅(qū)動效率和續(xù)航能力。
**領(lǐng)域三:工業(yè)自動化**
在工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中,AM7431P-T1-PF-VB可用作高功率負(fù)載開關(guān)器件,用于驅(qū)動各種工業(yè)設(shè)備和執(zhí)行器。其穩(wěn)定的性能和高效的能量轉(zhuǎn)換特性支持工業(yè)自動化系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。
通過以上示例,可以看出AM7431P-T1-PF-VB在多個領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,為不同類型的電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了關(guān)鍵的功率管理和控制功能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它