--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-P+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AO4813-VB 是一款雙通道(Dual-P+P-Channel)MOSFET,采用SOP8封裝。它采用先進(jìn)的Trench技術(shù),適合需要在負(fù)載開關(guān)和功率管理中提供高效能和可靠性的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| ------------- | ---------------------- |
| **封裝** | SOP8 |
| **配置** | 雙通道 (P+P-Channel) |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | -30V |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±12V |
| **閾值電壓 (Vth)** | -1.7V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 28mΩ @ VGS=4.5V
21mΩ @ VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | -8A |
| **技術(shù)** | Trench |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理和逆變器**
AO4813-VB 的雙通道設(shè)計使其特別適合用作逆變器和電源管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。它能夠有效地控制電源的開關(guān)和功率傳輸,提供高效能的電能轉(zhuǎn)換和節(jié)能功能。
2. **電動工具和汽車電子**
在高功率的電動工具和汽車電子系統(tǒng)中,AO4813-VB 可以作為電動馬達(dá)控制和動力電子開關(guān)。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻能夠支持設(shè)備的高效運行和長期耐久性。
3. **消費電子產(chǎn)品**
作為消費電子產(chǎn)品中的電源管理和功率開關(guān)元件,AO4813-VB 可以優(yōu)化設(shè)備的能耗和性能表現(xiàn),例如筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)等。
4. **工業(yè)控制和自動化**
在工業(yè)控制系統(tǒng)和自動化設(shè)備中,AO4813-VB 的高性能和可靠性使其能夠滿足復(fù)雜的電能管理需求,支持設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能的生產(chǎn)環(huán)境。
AO4813-VB 的設(shè)計特性使其適用于多種高功率、高效能的電子應(yīng)用領(lǐng)域,能夠提供優(yōu)異的電能控制和轉(zhuǎn)換功能,是現(xiàn)代電子電路設(shè)計中的重要選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12