--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、AOB256L-VB 產(chǎn)品簡介
AOB256L-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。該器件具有高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻特性,適合用于高功率和高電壓環(huán)境下的能量轉(zhuǎn)換和電路控制應(yīng)用。通過采用Trench技術(shù),AOB256L-VB 提供了優(yōu)異的性能和可靠性,適合于要求高效能和可靠性的應(yīng)用場合。
### 二、AOB256L-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
1. **封裝類型**:TO263
2. **配置**:單N溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**:200V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**:3V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:48mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**:40A
8. **技術(shù)**:Trench

### 三、AOB256L-VB 適用領(lǐng)域和模塊舉例
AOB256L-VB 可以在以下領(lǐng)域和模塊中發(fā)揮重要作用:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在高效率電源轉(zhuǎn)換器中,AOB256L-VB 可以用作開關(guān)元件,確保能量高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出,適用于服務(wù)器電源、通信設(shè)備等。
2. **電動汽車充電樁**:作為電動汽車充電樁中的關(guān)鍵開關(guān)元件,AOB256L-VB 能夠支持高電壓和高電流的快速充電需求,提升充電效率和安全性。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中,AOB256L-VB 可以用于電機(jī)驅(qū)動、電源管理和電流控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能輸出。
4. **太陽能逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,AOB256L-VB 可以作為逆變器的關(guān)鍵部件,支持從太陽能板到電網(wǎng)的高效能量轉(zhuǎn)換和電能輸出。
AOB256L-VB 由于其高性能和可靠性,在電力電子領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足多種高功率、高壓應(yīng)用的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12