--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、AON6716-VB產(chǎn)品簡介
AON6716-VB是一款單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)和1.7V的閾值電壓(Vth)。在VGS為10V時,其導(dǎo)通電阻低至3mΩ,支持最大120A的漏極電流(ID)。采用Trench技術(shù)制造,提供優(yōu)異的導(dǎo)通性能和熱穩(wěn)定性,適用于各種高效能電子系統(tǒng)。
### 二、AON6716-VB詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AON6716-VB MOSFET適用于多種低電壓、高電流應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源管理**:
- **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在筆記本電腦、服務(wù)器、電信設(shè)備和便攜式設(shè)備中,用于高效的電源轉(zhuǎn)換。
- **電源開關(guān)**:用于電子設(shè)備中的電源控制開關(guān)和負載開關(guān),提供低導(dǎo)通電阻和高效的電流傳輸。
2. **電池管理**:
- **鋰離子電池保護**:用于電動工具和電動汽車中的電池保護電路,確保電池安全和高效的電力管理。
3. **電動工具**:
- **電動汽車**:在電動汽車的驅(qū)動電路和充電系統(tǒng)中,提供高效的電流傳輸和電力轉(zhuǎn)換。
- **家用電器**:用于高功率家用電器中的電源控制和電機驅(qū)動。
4. **通信設(shè)備**:
- **基站電源**:用于通信基站中的電源管理系統(tǒng),提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)和高效的電能轉(zhuǎn)換。
5. **消費電子**:
- **筆記本電腦和平板電腦**:用于便攜式設(shè)備中的電源管理和電池保護,提供長時間的電池續(xù)航和高效的能量利用。
AON6716-VB MOSFET因其低導(dǎo)通電阻、高電流能力和高效的電力管理特性,廣泛應(yīng)用于各種需要高效能和高可靠性的電子系統(tǒng)中。其優(yōu)異的性能使其成為低電壓、高電流應(yīng)用的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12