--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AON7788-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AON7788-VB是一款單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了功率效率和熱管理,適用于各種高性能電子設(shè)備和系統(tǒng)中。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:
- **應(yīng)用場(chǎng)景**: 用于高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊中,能夠在低電壓下實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,提高系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換效率。
- **示例**: 服務(wù)器電源、工業(yè)電源供應(yīng)和高端電源模塊。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
- **應(yīng)用場(chǎng)景**: 適用于需要高電流驅(qū)動(dòng)的電機(jī)控制系統(tǒng),能夠穩(wěn)定地提供電流,并有效降低能量損耗。
- **示例**: 電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和工業(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
3. **高頻開關(guān)**:
- **應(yīng)用場(chǎng)景**: 具備優(yōu)異的高頻特性,適用于需要快速開關(guān)操作的高頻電路和射頻應(yīng)用。
- **示例**: 射頻功率放大器、通信設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)中的開關(guān)控制模塊。
4. **電池管理**:
- **應(yīng)用場(chǎng)景**: 在電池管理系統(tǒng)中,用于充放電控制和電池保護(hù),確保安全和效率。
- **示例**: 便攜式電子設(shè)備、無線傳感器網(wǎng)絡(luò)和可穿戴技術(shù)中的電池管理模塊。
AON7788-VB通過其卓越的性能特征,適用于多種復(fù)雜電子系統(tǒng)和高性能應(yīng)用,為現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計(jì)提供了可靠的功率管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛