--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP0503GMT-HF-VB 產(chǎn)品簡介
**型號:** AP0503GMT-HF-VB
**封裝:** DFN8(5X6)
**配置:** 單N溝道MOSFET
**技術(shù):** Trench
AP0503GMT-HF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),適用于低壓和大電流應(yīng)用環(huán)境中的高效能功率開關(guān)和控制。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 120A
- **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理模塊:** AP0503GMT-HF-VB 可用作低壓電源管理模塊中的開關(guān)元件,例如用于服務(wù)器電源、筆記本電腦電源適配器等,確保高效率和穩(wěn)定性。
2. **電動工具驅(qū)動器:** 在電動工具中,AP0503GMT-HF-VB 可作為電機(jī)驅(qū)動器中的功率開關(guān),幫助控制電機(jī)的速度和功率輸出,提升工具的性能和壽命。
3. **電動汽車充電器:** 用于電動汽車充電器中,確保高效的電能轉(zhuǎn)換和安全的充電過程,提高充電效率并減少能源損耗。
4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器:** 在各種DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AP0503GMT-HF-VB 可以提供低壓降和高效的電能轉(zhuǎn)換,如車載電子設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)。
5. **消費電子產(chǎn)品:** 如平板電腦、智能手機(jī)等消費電子產(chǎn)品中的電源管理和功率控制模塊,AP0503GMT-HF-VB 可以提供高效能和穩(wěn)定性。
AP0503GMT-HF-VB MOSFET 適用于需要高效率、高電流和穩(wěn)定性能的各種電源管理和功率控制應(yīng)用,為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12