--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP0904GMT-HF-VB 是一款高性能的單N-溝道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝。該器件設(shè)計(jì)用于高電流、低壓降的功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用,具備40V的耐壓和70A的持續(xù)漏極電流能力。AP0904GMT-HF-VB 采用槽溝技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱特性,適合要求高效率和高頻率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| --- | --- |
| 封裝類型 | DFN8(5X6) |
| 配置 | 單N-溝道 |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 40V |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 2.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS = 4.5V
4.7mΩ @ VGS = 10V |
| 漏極電流 (ID) | 70A |
| 技術(shù) | 槽溝型 |
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
AP0904GMT-HF-VB 功率MOSFET適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,以下是一些應(yīng)用實(shí)例:
1. **電動(dòng)車輛動(dòng)力模塊**:在電動(dòng)車輛的動(dòng)力電子模塊中,AP0904GMT-HF-VB 可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,提供高效能和高可靠性的功率轉(zhuǎn)換。
2. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換**:在高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心中,該器件可以用于電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓模塊,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和能源利用率。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的開關(guān)電源和驅(qū)動(dòng)器,幫助實(shí)現(xiàn)設(shè)備自動(dòng)化和智能化控制。
4. **電池供電設(shè)備**:在便攜式電子設(shè)備如無人機(jī)、便攜式工具和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,AP0904GMT-HF-VB 可以作為DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電管理電路的核心組件,提供高功率密度和長(zhǎng)時(shí)間使用能力。
5. **通信設(shè)備**:用于基站和通信設(shè)備的功率放大和開關(guān)控制,確保通信網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定和持續(xù)運(yùn)行。
通過以上領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用實(shí)例,AP0904GMT-HF-VB 展示了其在低壓高電流環(huán)境中的優(yōu)異性能和廣泛適用性,特別適合要求高效能和高頻率開關(guān)的現(xiàn)代電子應(yīng)用場(chǎng)合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛