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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP1203GMT-HF-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP1203GMT-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### AP1203GMT-HF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP1203GMT-HF-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝。該器件適用于低壓高功率應(yīng)用,具備30V的漏源電壓(VDS)和高達(dá)80A的連續(xù)漏電流(ID)。其柵源電壓(VGS)額定值為±20V,開(kāi)啟電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時(shí)為9mΩ,在10V時(shí)為7mΩ。采用了溝槽技術(shù)(Trench),提供了卓越的導(dǎo)通特性和高功率處理能力。

### AP1203GMT-HF-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)             | 值                    |
|----------------|--------------------|
| **型號(hào)**        | AP1203GMT-HF-VB    |
| **封裝類(lèi)型**    | DFN8(5X6)           |
| **配置**        | 單N溝道               |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30V                 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V                |
| **開(kāi)啟電壓 (Vth)** | 1.7V                |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 9mΩ @ VGS=4.5V      |
|                  | 7mΩ @ VGS=10V      |
| **連續(xù)漏電流 (ID)** | 80A                 |
| **技術(shù)**        | 溝槽技術(shù) (Trench)    |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電動(dòng)工具**:在高功率電動(dòng)工具中,如電動(dòng)鋰電鉆和電動(dòng)錘等,AP1203GMT-HF-VB 可以作為主要的功率開(kāi)關(guān)元件,支持高頻率開(kāi)關(guān)和大電流傳輸。

2. **電動(dòng)車(chē)輛**:在電動(dòng)車(chē)輛的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制器中,這款MOSFET可以用于電池充放電控制和電動(dòng)馬達(dá)的高效驅(qū)動(dòng)。

3. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心**:在服務(wù)器和大型數(shù)據(jù)中心的電源管理單元中,AP1203GMT-HF-VB 可以用作高效率DC-DC變換器的關(guān)鍵開(kāi)關(guān)元件,確保電能轉(zhuǎn)換的高效性和穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)電子設(shè)備**:在需要高功率密度和高效能的工業(yè)電子設(shè)備中,如變頻器、電源逆變器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電源開(kāi)關(guān)和控制電路中,這款MOSFET可以提供可靠的性能。

5. **電源逆變器**:在太陽(yáng)能和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中的電源逆變器設(shè)計(jì)中,AP1203GMT-HF-VB 可以用作關(guān)鍵的電流控制開(kāi)關(guān),支持電能的高效轉(zhuǎn)換和能量管理。

AP1203GMT-HF-VB 的高性能和高功率處理能力使其成為各種高功率、高頻率應(yīng)用的理想選擇,特別適用于要求高效率、高穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命的電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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