--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC70-3
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP1332GEU-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
AP1332GEU-VB 是一款低壓單 N-溝道 MOSFET,設(shè)計用于低電壓應(yīng)用中。采用小型的 SC70-3 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和低功耗特性,適合于便攜設(shè)備和電池驅(qū)動應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單 N-溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**: 20V
- **VGS(柵極-源極電壓)**: ±12V
- **Vth(閾值電壓)**: 0.5~1.5V
- **RDS(ON) @ VGS=2.5V**: 48mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=4.5V**: 40mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=10V**: 36mΩ
- **ID(連續(xù)漏極電流)**: 4A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用示例
**便攜設(shè)備**: AP1332GEU-VB 適用于便攜設(shè)備中的電源管理和電池驅(qū)動器,如智能手機、平板電腦和便攜式音頻設(shè)備。其小尺寸和低功耗特性有助于延長電池壽命并提高設(shè)備效率。
**電源轉(zhuǎn)換器**: 在低電壓電源轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓穩(wěn)壓器。其低導(dǎo)通電阻和高效率轉(zhuǎn)換特性使其在電源管理中具有重要應(yīng)用價值。
**消費電子產(chǎn)品**: 在消費電子產(chǎn)品中,如數(shù)字相機、便攜式游戲機和可穿戴設(shè)備,AP1332GEU-VB 可以用于電源開關(guān)和電路保護,提供穩(wěn)定和可靠的電源輸出。
**電動工具和電池管理**: 在電動工具和電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電機驅(qū)動和電池保護電路。其高電流承載能力和低功耗特性使其在電池壽命管理和功率控制中表現(xiàn)優(yōu)異。
**醫(yī)療設(shè)備**: 在醫(yī)療設(shè)備的電子模塊中,AP1332GEU-VB 可以用于便攜式醫(yī)療設(shè)備的電源管理和控制。其小型封裝和穩(wěn)定性能確保設(shè)備在各種環(huán)境下的可靠運行。
綜合其低壓特性、高效能管理和小型封裝,AP1332GEU-VB MOSFET 在低電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出色的性能和應(yīng)用潛力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12