--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N溝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP18N20AGS-HF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
AP18N20AGS-HF-VB是一款單N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用TO263封裝。這款MOSFET采用了先進(jìn)的Trench(溝槽)技術(shù),具有高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于高效能和高可靠性的電源管理和工業(yè)應(yīng)用。
### AP18N20AGS-HF-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 48mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術(shù)**: Trench(溝槽)

### AP18N20AGS-HF-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高壓電源管理和DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
- AP18N20AGS-HF-VB非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能。
2. **工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動**:
- 在工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET可以用于高功率的電機(jī)驅(qū)動器和控制系統(tǒng)。其高電流處理能力確保了在高負(fù)載條件下的可靠性能。
3. **太陽能逆變器和電動汽車充電系統(tǒng)**:
- AP18N20AGS-HF-VB在太陽能逆變器和電動汽車充電系統(tǒng)中可以發(fā)揮重要作用,提供高效的電力轉(zhuǎn)換和管理,確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。
4. **消費電子和通信設(shè)備**:
- 該MOSFET也適用于消費電子和通信設(shè)備中的高效電源管理模塊,例如開關(guān)電源和適配器。其高效能和可靠性能能夠滿足這些設(shè)備對電源管理的嚴(yán)格要求。
### 總結(jié)
AP18N20AGS-HF-VB MOSFET憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別是在高壓電源管理、工業(yè)控制、太陽能逆變器和消費電子設(shè)備中,展示出其在提升效率、可靠性和性能方面的顯著優(yōu)勢。其高電壓、高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其成為各種高效能電子系統(tǒng)的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12