--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介:
AP18P10GM-HF-VB 是一款單P溝道功率場效應(yīng)管(Power MOSFET),采用SOP8封裝。它具有負(fù)向高壓耐受能力(最大-100V VDS)、低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)最小為160mΩ@VGS=10V)、以及-2.5A的漏極電流能力。采用Trench技術(shù),這款器件適用于低功率和中功率應(yīng)用,具有良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性。
### 2. 參數(shù)說明:
- **型號(hào):** AP18P10GM-HF-VB
- **封裝:** SOP8
- **配置:** 單P溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** -100V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** -2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 200mΩ @ VGS=4.5V
- 160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** -2.5A
- **技術(shù):** Trench

### 3. 應(yīng)用舉例:
AP18P10GM-HF-VB 在以下領(lǐng)域和模塊中有廣泛應(yīng)用:
- **電源管理:** 適用于低功率和中功率開關(guān)電源的功率開關(guān)控制。
- **移動(dòng)設(shè)備:** 在筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備中,作為充電管理和電池保護(hù)的關(guān)鍵組件。
- **LED驅(qū)動(dòng):** 在LED照明和顯示屏背光等低功率應(yīng)用中,提供高效的電源管理和穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流。
- **汽車電子:** 在車載電子系統(tǒng)中,如汽車燈光控制、雨刮器控制等低功率電路中的開關(guān)控制。
- **家電控制:** 用于家用電器的開關(guān)控制電路,如電磁爐、電飯煲等小功率電器的電源管理。
這些例子展示了 AP18P10GM-HF-VB 在多個(gè)低功率和中功率應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用,其優(yōu)異的性能和高效能特性使其成為多種電子設(shè)備和系統(tǒng)中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛