--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**AP18T20GH-HF-VB** 是一款單N-溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。該器件具有高漏源電壓承受能力(200V)和高電流處理能力(30A),適合要求高效能量傳輸和低功耗的電子應(yīng)用。采用先進的Trench技術(shù)制造,提供低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的性能特性。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: AP18T20GH-HF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
**AP18T20GH-HF-VB** 適用于多種高性能電子應(yīng)用,以下是幾個典型的應(yīng)用示例:
1. **電源管理**:
- **電源轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC和AC-DC轉(zhuǎn)換器中,AP18T20GH-HF-VB可以用作高效的功率開關(guān),提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和可靠的輸出電壓,適合用于服務(wù)器電源、工業(yè)電源模塊和高性能計算機電源。
- **電池管理系統(tǒng)**:在電動工具、便攜式設(shè)備和電動車輛等應(yīng)用中,用于電池充放電管理和功率控制,確保電池的高效利用和長壽命。
2. **汽車電子**:
- **電動汽車**:用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)、電機控制和其他高壓電源模塊,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電流管理,確保汽車系統(tǒng)的穩(wěn)定和高效運行。
- **汽車電子模塊**:在汽車電子控制單元(ECU)中用作功率開關(guān)和高壓電源管理,適用于汽車照明系統(tǒng)和電動汽車的動力傳輸。
3. **工業(yè)控制**:
- **工業(yè)自動化設(shè)備**:在PLC(可編程邏輯控制器)和工業(yè)機器人中,用于電源開關(guān)和高效能轉(zhuǎn)換,確保工業(yè)設(shè)備的高效運行和電能利用率。
- **工業(yè)電源模塊**:用于工業(yè)電源模塊的功率開關(guān)和高效能轉(zhuǎn)換,提供穩(wěn)定的電能控制和系統(tǒng)保護,適用于各種工業(yè)應(yīng)用和自動化生產(chǎn)線。
**AP18T20GH-HF-VB** 通過其高漏源電壓承受能力和優(yōu)異的電流處理能力,為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了高效的功率管理和電能轉(zhuǎn)換解決方案,是現(xiàn)代電子控制和能源管理中的重要組成部分。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12