--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP20T03GH-HF-VB 產(chǎn)品簡介
AP20T03GH-HF-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用先進的溝槽技術(shù)(Trench Technology)。它在30V的電壓下能夠提供高達70A的漏極電流,具有極低的導(dǎo)通電阻。該器件封裝在TO252中,適合中功率應(yīng)用場景,具備優(yōu)異的熱管理和電氣性能。
### AP20T03GH-HF-VB 詳細參數(shù)說明
- **型號**: AP20T03GH-HF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: 單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
AP20T03GH-HF-VB 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻特性,適用于多種中功率應(yīng)用場景,以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為主要開關(guān)元件,用于電壓轉(zhuǎn)換和功率管理,確保高效能的能量轉(zhuǎn)換。
- 適用于電動工具和電子設(shè)備中的電源管理模塊,提供高效的電力傳輸和穩(wěn)定的電流控制。
2. **電動車輛**:
- 在電動汽車和電動自行車中的電機控制單元,實現(xiàn)高功率密度和長期可靠性的驅(qū)動系統(tǒng)。
- 用于電動汽車充電樁中的功率開關(guān),管理充電電流和電壓,確保安全和高效的充電過程。
3. **工業(yè)控制**:
- 在工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和電機驅(qū)動模塊,確保設(shè)備的高效運行和長期穩(wěn)定性。
- 用于工業(yè)機器人和自動化裝配線中的電動執(zhí)行機構(gòu)控制,提升生產(chǎn)效率和精度。
AP20T03GH-HF-VB 憑借其高電流能力、低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的熱性能,是中功率電子設(shè)備設(shè)計中的理想選擇,能夠滿足各種工業(yè)和消費電子設(shè)備的高效能和高可靠性需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12