--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AP3310GH-VB是一款單P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(P-Channel MOSFET),采用TO252封裝。該型號晶體管具有高性能特性,適合于低壓負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:AP3310GH-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單P溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:-30V
- **柵源極電壓(VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 46mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:-38A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AP3310GH-VB MOSFET適用于多種低壓負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用,以下是幾個(gè)具體的示例:
1. **移動(dòng)設(shè)備充電器**:
用于便攜式充電器和電池充電管理系統(tǒng)中,能夠提供高效的充電控制和電流管理功能,確保設(shè)備安全和充電效率。
2. **電池保護(hù)電路**:
在移動(dòng)電源和電池組中,AP3310GH-VB可以作為電池保護(hù)和管理電路的關(guān)鍵組件,確保電池的安全充放電和長壽命。
3. **低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)**:
適用于低電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出,用于各種電子設(shè)備的電源管理。
4. **電源開關(guān)**:
在低壓電源開關(guān)中,AP3310GH-VB能夠提供可靠的電流控制和高效的電能轉(zhuǎn)換,用于工業(yè)控制系統(tǒng)和自動(dòng)化設(shè)備中。
5. **車載電子**:
在車載電子系統(tǒng)中,特別是在車輛動(dòng)力管理和電池系統(tǒng)中,能夠處理低電壓和大電流的要求,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
AP3310GH-VB由于其優(yōu)異的電氣特性和高功率處理能力,是低壓負(fù)載開關(guān)和電源管理領(lǐng)域中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛