--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、AP4501GM-VB 產(chǎn)品簡介
AP4501GM-VB 是一款雙通道 N+P-Channel MOSFET,采用 SOP8 封裝。它利用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合需要高效能和緊湊設(shè)計的應(yīng)用。
### 二、AP4501GM-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙通道 N+P-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.6V (N-Channel) / -1.7V (P-Channel)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- N-Channel:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- P-Channel:
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:±8A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)

### 三、AP4501GM-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理和轉(zhuǎn)換**:
AP4501GM-VB 非常適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊,能夠在不同的輸入電壓條件下提供穩(wěn)定的輸出電壓。它的低導(dǎo)通電阻確保了高效能和低功耗的性能。
2. **電池管理系統(tǒng)**:
在電池管理系統(tǒng)中,AP4501GM-VB 可用作電池充放電控制器,保護(hù)電池免受過充和過放電的損害。其雙通道設(shè)計使其能夠同時控制充電和放電過程,提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。
3. **消費電子**:
AP4501GM-VB 在消費電子設(shè)備中有廣泛的應(yīng)用,如智能手機、平板電腦和便攜式媒體播放器。它可用于這些設(shè)備中的電源管理和開關(guān)電路,確保設(shè)備的長時間穩(wěn)定運行。
4. **汽車電子**:
在汽車電子領(lǐng)域,AP4501GM-VB 可用于車載電源管理和電池保護(hù)電路,支持高效能和可靠性的汽車電子系統(tǒng)。
5. **工業(yè)控制**:
AP4501GM-VB 適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的各種應(yīng)用,如電機驅(qū)動和自動化設(shè)備。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在這些應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
由于其優(yōu)異的電氣特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,AP4501GM-VB 是一款非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)的雙通道 MOSFET 解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12