--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP4501GSD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP4501GSD-VB 是一款高效能的雙N+P溝道MOSFET,采用DIP8封裝,適用于多種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該型號(hào)具有優(yōu)越的導(dǎo)通特性和高可靠性,能夠在廣泛的電壓和電流范圍內(nèi)工作,是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。
### AP4501GSD-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:DIP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:±30V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:±1V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 30mΩ @ VGS=4.5V
- 25mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:7.2A / -5A
- **技術(shù)**:Trench

### AP4501GSD-VB 應(yīng)用示例
AP4501GSD-VB 的應(yīng)用場(chǎng)景廣泛,以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:在高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓器中應(yīng)用,如筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)的電源管理模塊,確保設(shè)備的長(zhǎng)續(xù)航和高效能。
2. **消費(fèi)電子**:在家用電器、電視機(jī)、音響設(shè)備等消費(fèi)電子產(chǎn)品中作為功率管理和開(kāi)關(guān)控制元件,提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)和高效的電能轉(zhuǎn)換。
3. **汽車電子**:用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動(dòng)電路,如車載充電器、汽車音響系統(tǒng)和電動(dòng)車電池管理系統(tǒng),提升車輛電子系統(tǒng)的可靠性和性能。
4. **工業(yè)控制**:應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的電源控制和驅(qū)動(dòng)電路,如PLC控制器、工業(yè)機(jī)器人和變頻器,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。
5. **通信設(shè)備**:在無(wú)線通信設(shè)備、路由器和基站的電源管理模塊中使用,支持高速數(shù)據(jù)傳輸和穩(wěn)定的通信連接。
6. **便攜式設(shè)備**:適用于便攜式醫(yī)療設(shè)備、手持工具和無(wú)線傳感器等需要低功耗和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景,提供長(zhǎng)時(shí)間電池續(xù)航和可靠的功率輸出。
綜上所述,AP4501GSD-VB 是一款性能卓越的雙N+P溝道MOSFET,適合用于各類電子設(shè)備的電源管理和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用,確保設(shè)備的高效能和高可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛