91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AP60L02S-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP60L02S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):

AP60L02S-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)。其主要技術(shù)參數(shù)如下:

- **包裝類型:** TO263
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
 - 18mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 50A

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

1. **包裝類型和配置:** TO263 封裝,適合于高功率密度和低熱阻設(shè)計(jì),便于表面貼裝,適用于各種高功率應(yīng)用環(huán)境。

2. **電氣特性:**
  - **適中的電壓容忍度:** 最大30V的漏極-源極電壓(VDS),適合于中等電壓范圍的應(yīng)用場(chǎng)合。
  - **低導(dǎo)通電阻:** 在不同的柵極-源極電壓下(4.5V和10V),分別為18mΩ和12mΩ,提供了低功耗和高效率的操作。
  - **高漏極電流:** 最大漏極電流(ID)達(dá)到50A,適用于處理大功率負(fù)載。

3. **技術(shù)優(yōu)勢(shì):**
  - **Trench 技術(shù):** 增強(qiáng)了導(dǎo)通能力和熱穩(wěn)定性,適合于高功率、高頻率開關(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換的要求。

### 應(yīng)用示例:

AP60L02S-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理和轉(zhuǎn)換器:** 在中功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器和電源適配器中,通過(guò)其適中的電壓容忍度和低導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)高效率的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

- **電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車:** 作為電機(jī)控制器的開關(guān)元件,能夠處理中等功率和高功率負(fù)載,提供可靠的電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車操作。

- **消費(fèi)電子:** 在高性能筆記本電腦、平板電腦和便攜式設(shè)備的電源管理電路中,提供高效能量轉(zhuǎn)換和長(zhǎng)時(shí)間的電池壽命。

- **工業(yè)控制系統(tǒng):** 在PLC控制器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,用于功率開關(guān)和負(fù)載控制,確保系統(tǒng)穩(wěn)定和高效的能量管理。

這些示例展示了AP60L02S-VB在多個(gè)中功率、高效率電子設(shè)計(jì)中的應(yīng)用潛力,表現(xiàn)出其在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的重要性和廣泛適用性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    536瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    460瀏覽量