--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP6618GM-VB 產(chǎn)品簡介
AP6618GM-VB 是一款單通道 N 溝槽型 MOSFET,采用 SOP8 封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和穩(wěn)定的性能特征,適用于多種電子設(shè)備和模塊應(yīng)用。
### AP6618GM-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單通道 N-溝槽型
- **漏源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)

### AP6618GM-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
AP6618GM-VB 適用于多種需要高效能和高可靠性的電子設(shè)備和模塊。以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源管理模塊**
- 在開關(guān)電源 (SMPS)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器中,AP6618GM-VB 能夠提供低導(dǎo)通電阻和高效的功率轉(zhuǎn)換,確保穩(wěn)定的電源輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。
2. **電動工具和電動車**
- 在電動工具、電動車輛和其他高功率電動設(shè)備的驅(qū)動系統(tǒng)中,AP6618GM-VB 提供穩(wěn)定的電流輸出和快速響應(yīng),支持設(shè)備的高效運行和長時間使用。
3. **工業(yè)控制**
- 適用于工業(yè)自動化設(shè)備的高功率開關(guān)和電流控制器,保證設(shè)備在高負載和惡劣環(huán)境下的可靠性和長期穩(wěn)定性。
4. **電源逆變器**
- 在太陽能逆變器、風(fēng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中,AP6618GM-VB 提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出,支持系統(tǒng)的可靠運行和能源效率。
5. **消費電子**
- 在各種消費電子產(chǎn)品中的電源管理和功率控制應(yīng)用中,AP6618GM-VB 提供緊湊的封裝和優(yōu)異的性能,滿足設(shè)備對高效能和小尺寸的要求。
通過以上應(yīng)用示例,可以看出 AP6618GM-VB 在多個領(lǐng)域中展現(xiàn)了其高效能、低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定性能,是各種高功率、高電流應(yīng)用的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12