--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介
AP72T02GH-VB 是一款單路 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高漏極電流和優(yōu)秀的電氣特性,適用于需要高效能和可靠性的功率開關(guān)和驅(qū)動應(yīng)用。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明
- **包裝類型:** TO252
- **配置:** 單路 N 溝道
- **耐壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 4.5V時:6mΩ
- 10V時:5mΩ
- **漏極電流(ID):** 最大值為 80A
- **技術(shù)特點:** Trench 結(jié)構(gòu)

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AP72T02GH-VB 可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電機驅(qū)動:** 適用于電動工具、電動車輛和機器人等需要高功率輸出和高效能驅(qū)動的應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能夠確保在高負(fù)載下穩(wěn)定工作。
- **電源管理:** 在開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中,AP72T02GH-VB 可作為主要的功率開關(guān)器件,支持高效率的能量轉(zhuǎn)換和電能分配。
- **汽車電子:** 在電動汽車和混合動力汽車的電動驅(qū)動系統(tǒng)中,可以用于電池管理系統(tǒng)、電動機控制和電源逆變器,提供可靠的電力輸出和效能優(yōu)化。
- **工業(yè)控制:** 適用于工業(yè)自動化設(shè)備、機器人控制系統(tǒng)和高功率 LED 照明等需要精確控制和高性能電源管理的應(yīng)用。
這些示例展示了 AP72T02GH-VB 在多個領(lǐng)域中的應(yīng)用廣泛性,通過其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,為各種功率電子應(yīng)用提供了高效的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12