--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介詳細(xì):
AP85T08GP-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用了Trench技術(shù),具備高功率和高效能的特點(diǎn),適合于需要高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻的電子應(yīng)用。
- **包裝類型:** TO220
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 80V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 100A
- **技術(shù):** Trench

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **包裝和配置:**
- **TO220封裝:** 提供了良好的熱管理和電氣性能,適用于中等到高功率應(yīng)用,如電源管理和電動(dòng)工具。
2. **電氣特性:**
- **低導(dǎo)通電阻:**
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V,保證了在高電流負(fù)載下的低能量損耗和高效率。
- **高電流承載能力:** 最大漏極電流達(dá)到100A,適合于處理大功率負(fù)載和高頻率開關(guān)需求。
- **廣泛的工作電壓范圍:** 支持最大80V的漏極-源極電壓,使其在各種電源管理和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中都能穩(wěn)定工作。
3. **技術(shù)優(yōu)勢:**
- **Trench技術(shù):** 利用先進(jìn)的Trench結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提升了導(dǎo)通性能和熱穩(wěn)定性,適合于高功率、高頻率開關(guān)和能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
### 應(yīng)用示例:
AP85T08GP-VB MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理:** 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源逆變器中,AP85T08GP-VB可以有效地控制電流和功率,提升能量轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
- **電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛:** 用于電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,支持高效能和高功率的電源管理需求。
- **工業(yè)自動(dòng)化:** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,用于高功率開關(guān)和電流控制,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長期可靠性。
這些示例展示了AP85T08GP-VB在中高功率、高效率電子設(shè)計(jì)中的廣泛應(yīng)用,顯示其在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的重要性和多功能性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛