--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 Single-N
- 溝道 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):
AP92U03GM-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),適合高效能電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。其封裝為SOP8,結(jié)合低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,旨在提供優(yōu)異的電源管理和開(kāi)關(guān)性能。
- **包裝類(lèi)型:** SOP8
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 18A
- **技術(shù):** Trench

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
1. **包裝和配置:**
- **SOP8封裝:** 適合于中等功率密度的應(yīng)用,具有良好的熱管理和布局靈活性,可用于多種PCB設(shè)計(jì)需求。
2. **電氣特性:**
- **低導(dǎo)通電阻:**
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V,確保在高電流負(fù)載和低電壓條件下的低損耗和高效率。
- **適應(yīng)性閾值電壓:** 1.7V的閾值電壓使其在多種電壓條件下都能保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
- **中等漏極電流:** 最大漏極電流為18A,適用于中等功率要求的電源管理和開(kāi)關(guān)電路。
3. **技術(shù)優(yōu)勢(shì):**
- **Trench技術(shù):** 使用Trench結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),優(yōu)化了導(dǎo)通性能和熱穩(wěn)定性,提高了能量轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)可靠性。
### 應(yīng)用示例:
AP92U03GM-VB MOSFET 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理和逆變器:** 在低至中等功率的DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源逆變器中,用于高效率能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制,例如筆記本電腦電池管理系統(tǒng)。
- **電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛:** 用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,支持中等功率和高效率的電能管理需求,例如電動(dòng)自行車(chē)和輕型電動(dòng)車(chē)輛的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
- **工業(yè)控制和通信設(shè)備:** 作為電源開(kāi)關(guān),確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性能,用于工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備中的電源管理和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制。
這些示例突顯了AP92U03GM-VB在中等功率應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用,展示了其在提升能源效率和系統(tǒng)可靠性方面的重要作用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛