--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 Single-N
- 溝道 TO220F
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP9408AGI-VB是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(Single-N-Channel MOSFET),采用TO220F封裝。該產(chǎn)品基于先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和優(yōu)異的熱特性,適合要求高功率密度和高效率的電子應(yīng)用。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **結(jié)構(gòu)類型**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **耐壓(VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 2mΩ @ VGS=4.5V
- 1mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 68A
- **技術(shù)特點(diǎn)**: Trench工藝

### 3. 應(yīng)用示例
AP9408AGI-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在高效能的電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器中,作為主要的功率開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠提供高效的能源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
- **電動(dòng)車輛**: 在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車輛(HEV)的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器件。其優(yōu)異的導(dǎo)通特性和熱穩(wěn)定性,有助于提高車輛的性能和能效。
- **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)、機(jī)器人技術(shù)和自動(dòng)化設(shè)備中,用于開關(guān)電路和電源管理。其高電流承載能力和穩(wěn)定的性能,支持設(shè)備的可靠操作和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
- **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心**: 在高性能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理和功率分配中,用作關(guān)鍵的功率開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻和高效率,有助于提高數(shù)據(jù)處理設(shè)備的能源利用率和系統(tǒng)可靠性。
這些應(yīng)用示例展示了AP9408AGI-VB因其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,在各種高功率密度和高效能要求的電子應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用潛力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛