--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP9414M-VB 產(chǎn)品簡介
AP9414M-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于多種電源管理和負載開關(guān)應(yīng)用。其先進的Trench技術(shù)確保了更高的效率和可靠性。
### AP9414M-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)類型**:Trench

### AP9414M-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理模塊**:AP9414M-VB可以用于各種電源管理應(yīng)用中,如直流-直流轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠有效降低功耗和提高系統(tǒng)效率。
2. **負載開關(guān)**:在負載開關(guān)應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供快速和可靠的開關(guān)操作,適用于智能電源開關(guān)和電機驅(qū)動等場景。
3. **電動工具和電動車**:由于AP9414M-VB具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,它非常適合用于電動工具和電動車的電源控制部分,提供高效能和可靠的電流傳導(dǎo)。
4. **消費電子產(chǎn)品**:在消費電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦、平板電腦和智能手機中,該MOSFET能夠有效地管理電源分配和熱管理,提升產(chǎn)品的性能和壽命。
通過采用AP9414M-VB,設(shè)計工程師可以實現(xiàn)更高效、更可靠的電源管理解決方案,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對低功耗和高性能的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12