--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP94T07GP1-HF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP94T07GP1-HF-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于高功率電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。
### AP94T07GP1-HF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
#### 電動(dòng)車輛和電動(dòng)工具
AP94T07GP1-HF-VB適用于電動(dòng)車輛和電動(dòng)工具中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理。其高達(dá)100A的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī),并在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定性能。
#### 高功率電源模塊
在高功率電源模塊中,如工業(yè)設(shè)備的電源管理和高性能計(jì)算機(jī)的功率逆變器,AP94T07GP1-HF-VB可以用作主開關(guān)器件。其高電流能力和優(yōu)異的導(dǎo)通特性有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率和減少能量損失。
#### 工業(yè)自動(dòng)化和電源逆變器
在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)和電源逆變器中,AP94T07GP1-HF-VB可用于高功率開關(guān)控制單元。其穩(wěn)定的電氣特性和可靠的性能使其適合于控制大功率電機(jī)、電動(dòng)執(zhí)行器和工業(yè)機(jī)械設(shè)備。
#### 高性能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源管理
在高性能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心中,AP94T07GP1-HF-VB可以應(yīng)用于電源分配單元和高效能量轉(zhuǎn)換模塊。其優(yōu)異的電氣特性和高可靠性使其能夠支持?jǐn)?shù)據(jù)中心的高功率需求,并提供穩(wěn)定的電源輸出。
AP94T07GP1-HF-VB以其高電流處理能力、低導(dǎo)通電阻和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為各種高功率和高效能電子設(shè)備提供了可靠的功率開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛