--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP9585H-VB 產(chǎn)品簡介
AP9585H-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET具備負電壓控制能力,適用于需要高電壓承受能力和中等導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合。通過溝槽技術(shù)的應(yīng)用,AP9585H-VB 提供了可靠的電氣性能和穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換效率。
### AP9585H-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO252
- **配置**:單P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:-100V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 280mΩ @ VGS = 4.5V
- 250mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:-8.8A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AP9585H-VB MOSFET 可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源逆變器**:在需要負電壓控制和高功率輸出的電源逆變器中,如工業(yè)電源和通信設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中,AP9585H-VB 可提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)功能,確保電能的高效轉(zhuǎn)換和設(shè)備的穩(wěn)定運行。
2. **電動車充電器**:適用于電動汽車充電設(shè)備中的開關(guān)電路和電池管理系統(tǒng),通過其高電壓承受能力和合適的導(dǎo)通電阻,支持電動車快速充電和長時間使用。
3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化和電機驅(qū)動系統(tǒng)中的功率開關(guān)模塊中,AP9585H-VB 可實現(xiàn)精確的電流控制和高效的能量管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和能效優(yōu)化。
4. **LED照明**:用于LED照明產(chǎn)品中的驅(qū)動器電路,通過AP9585H-VB 的特性,提升LED燈具的能效和功率密度,滿足不同應(yīng)用環(huán)境下的照明需求。
5. **音頻放大器**:在音頻功放電路中,作為功率開關(guān)元件,AP9585H-VB 可提供高保真音頻輸出和良好的動態(tài)性能,適合高品質(zhì)音響系統(tǒng)的應(yīng)用。
通過以上示例,可以看出AP9585H-VB MOSFET 在多個高功率和高效率應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,為電子設(shè)備的性能提升和能源利用效率的提升做出了重要貢獻。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12