--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP98T06GS-HF-VB 產(chǎn)品簡介
AP98T06GS-HF-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),封裝在TO263中。具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于需要高效能和可靠性的電子應(yīng)用。
### AP98T06GS-HF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)類型**: Trench

### AP98T06GS-HF-VB 適用領(lǐng)域和模塊
AP98T06GS-HF-VB 在以下領(lǐng)域和模塊中有廣泛的應(yīng)用:
1. **電源管理**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,AP98T06GS-HF-VB 可以用作開關(guān)電源的主要功率開關(guān)器件。它能夠提供高效率的電能轉(zhuǎn)換,適用于筆記本電腦適配器、充電器和工業(yè)電源等應(yīng)用。
2. **電動工具**: 在電動工具的電源模塊中,AP98T06GS-HF-VB 可以提供足夠的電流和電壓穩(wěn)定性,以驅(qū)動電動工具的電動機(jī),如電動鉆、電錘和電動車等。
3. **電動汽車充電樁**: 作為電動汽車充電樁中的關(guān)鍵功率器件,AP98T06GS-HF-VB 能夠處理高功率和高頻率的開關(guān)操作,確保充電樁的高效率和可靠性。
4. **電池管理系統(tǒng)**: 在需要高電流控制和低損耗的電池管理系統(tǒng)中,AP98T06GS-HF-VB 可以用于電池充放電控制和電能轉(zhuǎn)換,確保電池的安全和長壽命。
5. **LED照明**: 在高功率LED照明驅(qū)動器中,AP98T06GS-HF-VB 可以提供穩(wěn)定的電流控制和高效的能量轉(zhuǎn)換,以確保LED燈具的高亮度和長壽命。
這些應(yīng)用示例展示了AP98T06GS-HF-VB 在各種高功率、高效能電子設(shè)計(jì)中的多功能性和廣泛適用性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛