--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介
AP9964GM-VB 是一款雙 N+N 溝道場效應(yīng)管(Dual-N+N-Channel MOSFET),采用溝道技術(shù)。具有30V 的漏極-源極電壓(VDS),20V 的門極-源極電壓(VGS)(±V),低閾值電壓(Vth)為1.7V,適合需要高效能和可靠性的電子系統(tǒng)應(yīng)用。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明
- **包裝類型(Package)**: SOP8
- **配置(Configuration)**: 雙 N+N-Channel
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **門極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 8.5A
- **技術(shù)特點(diǎn)**: Trench(溝道技術(shù))

### 3. 應(yīng)用示例
AP9964GM-VB 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**:適用于開關(guān)電源、DC-DC 變換器和電池充電管理電路中的功率開關(guān),提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電流調(diào)節(jié)。
- **汽車電子**:用于車載電源管理系統(tǒng)、電動汽車驅(qū)動控制和車載電子設(shè)備中的功率開關(guān)。
- **工業(yè)自動化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,可用于電機(jī)驅(qū)動、逆變器和電動工具的功率管理。
- **消費(fèi)電子**:例如在高性能電源適配器和便攜式電子設(shè)備中,提供高效能的電源管理和電流控制。
這些示例展示了 AP9964GM-VB 在需要高功率密度、高效率和可靠性的各種電子應(yīng)用中的適用性和優(yōu)勢。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它