--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳述:
AP9990GMT-HF-VB是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),采用了Trench技術(shù)制造。其設(shè)計(jì)旨在提供高電流和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高效能和高可靠性的電路應(yīng)用。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **包裝形式:** DFN8(5X6)
- **VDS(漏極-源極電壓):** 60V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 2.5V
- **靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):**
- 7mΩ @ VGS = 4.5V
- 6mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 80A

### 3. 應(yīng)用示例:
該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理和開(kāi)關(guān)電路:** 由于其極低的RDS(ON)和高漏極電流特性,AP9990GMT-HF-VB非常適合作為高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源中的主要開(kāi)關(guān)元件。它能夠提供高效率的功率轉(zhuǎn)換和低損耗運(yùn)行。
- **電動(dòng)工具和電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在需要處理高電流和高功率要求的電動(dòng)工具、電動(dòng)車(chē)輛電機(jī)控制和電動(dòng)助力系統(tǒng)中,該MOSFET能夠提供可靠的電流開(kāi)關(guān)和精確的功率控制。
- **電動(dòng)汽車(chē)充電器:** 在高功率充電器的電源開(kāi)關(guān)控制中,AP9990GMT-HF-VB能夠有效地處理大電流和高電壓,并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
- **服務(wù)器和通信設(shè)備電源管理:** 在服務(wù)器電源單元和通信設(shè)備的直流-直流轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET可以幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源供應(yīng)。
以上示例突顯了AP9990GMT-HF-VB在多種高功率、高效能電子應(yīng)用中的優(yōu)越性能和廣泛應(yīng)用潛力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛