--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
AP9997GM-VB 是一款雙通道 N+N 溝道 MOSFET,采用 Trench 技術(shù)制造,封裝為 SOP8。該器件具有較高的電壓容忍度和較低的導(dǎo)通電阻,適用于多種電子應(yīng)用,特別是在中功率和高效能需求的應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **包裝類型(Package):** SOP8
- **配置(Configuration):** Dual-N+N-Channel
- **漏源電壓(VDS):** 100V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **門槽電壓閾值(Vth):** 1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 12A
- **技術(shù)(Technology):** Trench

### 3. 應(yīng)用舉例:
- **電源管理和轉(zhuǎn)換器:** AP9997GM-VB 適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊。這些應(yīng)用需要高效的電能轉(zhuǎn)換和低損耗,該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電壓容忍度使其在這些領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異。
- **電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng):** 在電動(dòng)工具、小型電機(jī)和其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以提供可靠的功率開關(guān)和穩(wěn)定的電流控制,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)使用壽命。
- **消費(fèi)電子和家用電器:** 該器件還適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和家用電器,如智能家居設(shè)備、電視和音響系統(tǒng)等,確保設(shè)備在高功率輸出下的穩(wěn)定性能和高效能。
AP9997GM-VB 在中功率、高效能和高可靠性要求的電子設(shè)備中展示了其廣泛的應(yīng)用潛力,特別是在需要高效能和穩(wěn)定性的電源管理和控制系統(tǒng)中表現(xiàn)突出。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛