--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):
APM2A01NF-VB 是一款單路N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。它具有高達(dá)200V的漏極-源極電壓(VDS),適合需要高電壓處理能力的電路設(shè)計(jì)。該器件在VGS=10V時(shí)具有較低的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為17mΩ,能夠在高電壓條件下提供有效的電流控制和低功率損耗。APM2A01NF-VB 的最大漏極電流(ID)為80A,適用于需要高電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明:
- **型號(hào)**: APM2A01NF-VB
- **封裝**: TO220
- **構(gòu)型**: 單路N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 200V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟電壓(Vth)**: 4V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 17mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電動(dòng)車輛**:適用于電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),能夠在高電壓和高電流條件下提供穩(wěn)定的電源輸出和高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. **工業(yè)電源**:用于工業(yè)設(shè)備和機(jī)械的電源管理和驅(qū)動(dòng)控制,支持高功率和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的需求。
3. **電源逆變器**:可用于高壓逆變器系統(tǒng),如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器,確保電能的高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。
4. **UPS(不間斷電源)**:在UPS設(shè)備中作為關(guān)鍵的電力開(kāi)關(guān)器件,保證在斷電時(shí)仍能提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**:適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的高壓開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器,如電動(dòng)執(zhí)行器和高功率開(kāi)關(guān)裝置,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能力。
通過(guò)這些應(yīng)用場(chǎng)景的例子,可以看出APM2A01NF-VB 在各種需要高電壓、高功率輸出和穩(wěn)定電流控制的應(yīng)用中具有重要的作用和應(yīng)用價(jià)值。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛