--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### APM3055LUC-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
APM3055LUC-VB 是一款高性能的單N溝道功率 MOSFET,采用TO252封裝。該器件專為低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力設(shè)計(jì),能夠在30V的漏極-源極電壓下提供高達(dá)70A的連續(xù)電流。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)確保了在高效能和可靠性之間的平衡,是電源管理和高效能應(yīng)用的理想選擇。
### APM3055LUC-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù) (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
APM3055LUC-VB MOSFET 可以在以下領(lǐng)域和模塊中發(fā)揮作用:
1. **電源管理**:
- **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:適用于筆記本電腦、服務(wù)器和移動(dòng)設(shè)備中的高效DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供穩(wěn)定的電壓和高效的能量轉(zhuǎn)換。
- **電池保護(hù)電路**:用于鋰離子電池保護(hù)電路中,確保電池安全和延長(zhǎng)使用壽命。
2. **汽車電子**:
- **電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的車載充電器中,提供高效的電流管理和能量轉(zhuǎn)換,確??焖侔踩某潆娺^(guò)程。
- **電子控制單元 (ECU)**:用于汽車ECU中的電源管理和控制電路,確保汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:
- **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,提供高效的電流控制和功率轉(zhuǎn)換。
- **可編程邏輯控制器 (PLC)**:在PLC中的電源管理模塊中,確保系統(tǒng)的高效能和可靠性。
4. **消費(fèi)電子**:
- **電源適配器**:在筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)的電源適配器中,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和低功耗操作。
- **智能家居設(shè)備**:用于智能家居設(shè)備的電源管理和控制模塊,確保設(shè)備的高效能和低功耗。
5. **通信設(shè)備**:
- **基站電源模塊**:在通信基站的電源管理模塊中,提供高效的電流轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
- **網(wǎng)絡(luò)設(shè)備**:用于路由器、交換機(jī)和服務(wù)器中的電源管理電路,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性。
通過(guò)這些應(yīng)用實(shí)例,可以看出 APM3055LUC-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景,為各種電子系統(tǒng)提供了高效、可靠的電力管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛