--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252-4L
- 溝道 Common Drain-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
APM4052DU4C-TRL-VB 是一款 TO252-4L 封裝的 MOSFET,具有雙溝道結(jié)構(gòu),包括 N 溝道和 P 溝道,適合于應(yīng)用于需要高電流和高電壓的場合。
### 詳細參數(shù)說明
- **Package:** TO252-4L
- **Configuration:** Common Drain-N+P-Channel
- **VDS:** ±40V
- **VGS:** ±20V
- **Vth:** 1.8V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)
- **RDS(ON):**
- 14mΩ @ VGS = 4.5V (N-Channel)
- 16mΩ @ VGS = 10V (P-Channel)
- **ID:** ±50A
- **Technology:** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理和轉(zhuǎn)換器模塊:** APM4052DU4C-TRL-VB 的高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合在高效率的開關(guān)電源和 DC-DC 變換器中使用。其優(yōu)秀的導(dǎo)通特性有助于減少功耗損失,提升整體能效。
2. **電機驅(qū)動:** 由于其能夠處理高電流和高電壓,這款 MOSFET 適合用作電機控制的開關(guān)元件。它能夠有效地控制電機的啟停和速度調(diào)節(jié),同時保持較低的功耗。
3. **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,特別是需要處理汽車電池的高電壓和高電流時,APM4052DU4C-TRL-VB 可作為保護和控制電路的關(guān)鍵部件。其可靠性和性能使其適合于汽車電動化和先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。
4. **工業(yè)控制:** 該型號適用于需要穩(wěn)定可靠的工業(yè)控制系統(tǒng),例如機器人控制、PLC(可編程邏輯控制器)輸出驅(qū)動等,確保設(shè)備的高效運行和長期穩(wěn)定性。
APM4052DU4C-TRL-VB 的設(shè)計特點使其成為多種高性能電子系統(tǒng)中的理想選擇,能夠在不同的工作環(huán)境和負載條件下提供穩(wěn)定的性能和優(yōu)異的功耗管理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12