--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### APM4317KC-TRL-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
APM4317KC-TRL-VB 是一款單 P 通道 MOSFET,采用先進(jìn)的槽溝(Trench)技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。該器件封裝為 SOP8,適用于需要緊湊封裝和高效能的應(yīng)用場(chǎng)合。其主要特點(diǎn)包括較低的開啟電壓和優(yōu)異的開關(guān)特性,適用于電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: APM4317KC-TRL-VB
- **封裝**: SOP8
- **通道類型**: 單 P 通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS = -4.5V
- 18mΩ @ VGS = -10V
- **漏極電流 (ID)**: -9A
- **技術(shù)**: 槽溝技術(shù) (Trench)

### 應(yīng)用示例
APM4317KC-TRL-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 該器件可以用于便攜式設(shè)備的電源管理系統(tǒng),如智能手機(jī)和平板電腦中的電池管理模塊,提供高效的電源控制和切換功能。
- **負(fù)載開關(guān)**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,APM4317KC-TRL-VB 非常適合用于各類電子設(shè)備的負(fù)載開關(guān),例如用于筆記本電腦和臺(tái)式電腦的外圍設(shè)備電源開關(guān)。
- **電源轉(zhuǎn)換**: 該 MOSFET 可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和其他電源轉(zhuǎn)換電路中,實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)和電能轉(zhuǎn)換,適用于通信設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)的電源模塊。
- **工業(yè)控制**: 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,APM4317KC-TRL-VB 可用于控制電機(jī)和其他執(zhí)行器的電源開關(guān),確保設(shè)備的高效能和穩(wěn)定運(yùn)行。
這些應(yīng)用示例展示了 APM4317KC-TRL-VB 在不同領(lǐng)域中的多功能應(yīng)用,其高性能和可靠性使其成為許多現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛