91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

APM4820KC-TRL-VB一款Single-N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: APM4820KC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、APM4820KC-TRL-VB 產(chǎn)品簡介

APM4820KC-TRL-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用Trench技術制造,封裝形式為SOP8。該器件具有30V的漏源電壓 (VDS) 和±20V的柵源電壓 (VGS),以及高達13A的連續(xù)漏電流 (ID)。其設計特性包括在不同柵源電壓下具有低導通電阻,以提供高效的開關性能和低功耗操作。這款MOSFET特別適用于需要高電流和低導通電阻的應用場景,能有效提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

### 二、APM4820KC-TRL-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 4.5V:11mΩ
 - @ VGS = 10V:8mΩ
- **連續(xù)漏電流 (ID)**:13A
- **技術**:Trench

### 三、應用領域及模塊舉例

APM4820KC-TRL-VB 的特性使其在多個領域中具有出色的應用效果:

1. **電源管理**:
  - **DC-DC 轉換器**:適用于降壓和升壓轉換器中的開關控制,能夠提供高效的電流管理和低功耗操作,提升整體系統(tǒng)效率。
  - **電池管理系統(tǒng)**:在電池充放電控制中,具有低導通電阻的特性,能有效延長電池壽命和提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

2. **消費電子**:
  - **智能手機和平板電腦**:用于這些設備的電源管理模塊,能夠高效地進行電源切換和負載控制。
  - **可穿戴設備**:如智能手表和健康監(jiān)測設備,利用其低導通電阻和高電流能力,提供高效電源管理和長時間使用。

3. **汽車電子**:
  - **車載電源管理**:在電動車輛的電源管理系統(tǒng)中,提供穩(wěn)定的電流控制和高效的開關操作,確保系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。
  - **電動驅動系統(tǒng)**:適用于電動車電機的控制和驅動,能夠處理高電流負載和提供精準控制。

4. **工業(yè)控制**:
  - **電機驅動**:在各種電機驅動應用中,如工業(yè)自動化設備的電機控制,提供高效的開關性能和負載管理。
  - **功率開關**:用于高功率開關控制中,能夠高效地管理大電流負載,減少系統(tǒng)能耗。

APM4820KC-TRL-VB 的高效能和低導通電阻特性使其成為多個應用場景中的理想選擇,特別是在需要高電流和低功耗的系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    534瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    457瀏覽量