--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
APM6004NUC-TRL-VB是一款高性能N通道MOSFET,封裝形式為TO252。該器件采用先進的Trench技術(shù),設(shè)計用于高電壓和高電流應(yīng)用。它的60V漏源電壓和高達58A的漏極電流使其非常適合于高功率和高效率的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻特性提供了優(yōu)越的開關(guān)性能和熱性能,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
### 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|----------------------|---------------------------|
| **產(chǎn)品型號** | APM6004NUC-TRL-VB |
| **封裝形式** | TO252 |
| **配置** | 單通道N溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 60V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 2.5V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 13mΩ@VGS=4.5V
10mΩ@VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | 58A |
| **技術(shù)** | Trench |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**
- **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**:APM6004NUC-TRL-VB的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠有效地提供電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓,降低能耗,提高系統(tǒng)效率。
- **電源保護電路**:在電源保護應(yīng)用中,這款MOSFET可以作為過流保護開關(guān)使用,確保電源系統(tǒng)的安全操作,防止損壞。
2. **負(fù)載開關(guān)**
- **工業(yè)設(shè)備**:該MOSFET適合用于需要高電流和高電壓控制的工業(yè)設(shè)備中,如電機控制和高功率負(fù)載開關(guān),提供穩(wěn)定的開關(guān)功能和高效的負(fù)載控制。
- **電動汽車**:在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,APM6004NUC-TRL-VB可以用作電池管理和功率轉(zhuǎn)換,確保電動汽車的高效運行和穩(wěn)定性能。
3. **消費電子**
- **計算機硬件**:在計算機電源模塊中,APM6004NUC-TRL-VB可以用于電源供應(yīng)和功率轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
- **家用電器**:如空調(diào)和洗衣機等家用電器中,這款MOSFET能夠有效地控制高功率負(fù)載,增強設(shè)備的性能和能效。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12