--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**AUF3808S-VB**是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。該MOSFET采用先進的溝槽技術(shù)(Trench Technology),具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,特別適合在高電壓和高電流應(yīng)用中使用。其高效能和穩(wěn)定性使其在電源管理、電動機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,適用于對功率和開關(guān)性能有高要求的應(yīng)用場景。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO263
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:80V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V:10mΩ
- @VGS=10V:6mΩ
- **漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高功率電源管理**:
- **AUF3808S-VB**的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高功率電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它適用于高電流DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源適配器和其他高功率電源模塊。其高效能和低能量損耗有助于提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性,特別是在需要處理大電流和高電壓的環(huán)境下。
2. **電動機驅(qū)動**:
- 在電動機驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET能夠提供高效的開關(guān)控制。它適用于電動工具、電動汽車和工業(yè)電動機控制等應(yīng)用。**AUF3808S-VB**的高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保電動機的高效運行和穩(wěn)定性,是電動機驅(qū)動系統(tǒng)中的理想選擇。
3. **功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**:
- **AUF3808S-VB**在功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。適用于高功率逆變器、變頻器及其他功率轉(zhuǎn)換設(shè)備。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠提升功率轉(zhuǎn)換效率,確保系統(tǒng)在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。
4. **負載開關(guān)**:
- 該MOSFET同樣適用于各種高功率負載的開關(guān)控制應(yīng)用。例如,高功率LED驅(qū)動、大電流負載開關(guān)等場景中,**AUF3808S-VB**的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠確保負載開關(guān)操作的高效性和可靠性。
**AUF3808S-VB**憑借其高電流處理能力、低導(dǎo)通電阻和高效開關(guān)性能,是高功率電源管理、電動機驅(qū)動、功率轉(zhuǎn)換和負載開關(guān)應(yīng)用中的優(yōu)選元件,為設(shè)計工程師提供了可靠且高效的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12