--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、AUFB8405-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AUFB8405-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,由 AUK 生產(chǎn)。該器件基于 Trench 技術(shù),專(zhuān)為高電流和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。AUFB8405-VB 提供了 40V 的漏源極電壓能力和高達(dá) 180A 的漏極電流能力,其極低的導(dǎo)通電阻和較高的電流能力使其在高功率電源管理和開(kāi)關(guān)控制中表現(xiàn)出色。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: AUFB8405-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: 20(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 15mΩ
- @ VGS = 10V: 2mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 180A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
AUFB8405-VB 的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:
1. **高功率電源管理**:
- 適用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源供應(yīng)器。AUFB8405-VB 的 40V 漏源極電壓和 180A 漏極電流能力能夠處理高功率負(fù)載,提供穩(wěn)定高效的電源管理。
2. **電動(dòng)汽車(chē)**:
- 用于電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在電動(dòng)汽車(chē)的高功率和高電流環(huán)境中穩(wěn)定工作,確保電動(dòng)系統(tǒng)的高效和可靠。
3. **工業(yè)電源控制**:
- 在工業(yè)設(shè)備和電機(jī)控制系統(tǒng)中應(yīng)用。AUFB8405-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠滿(mǎn)足工業(yè)環(huán)境中的高功率需求,提供可靠的電源控制解決方案。
4. **高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:
- 適用于高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)和高效能電源開(kāi)關(guān)。AUFB8405-VB 的低導(dǎo)通電阻確保了開(kāi)關(guān)操作的高效性,適合用于高功率負(fù)載下的開(kāi)關(guān)控制。
5. **功率放大器**:
- 在功率放大器電路中使用,尤其是在高電流和高功率應(yīng)用中。AUFB8405-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升功率放大器的性能和效率,適用于高功率放大系統(tǒng)。
AUFB8405-VB 的設(shè)計(jì)使其在高電流和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色,為各種電源管理和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用提供了可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛