--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AUFR024N-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用先進的溝槽技術(shù)制造。其封裝形式為TO252,能夠在節(jié)省空間的同時提供卓越的散熱性能。這款MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適合在各種高電壓應(yīng)用中使用。AUFR024N-VB 的設(shè)計使其在4.5V和10V柵極驅(qū)動電壓下分別具有85mΩ和73mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),提供高效的電流開關(guān)能力和低功耗特性。其最大連續(xù)漏極電流(ID)為18A,使其適用于高電流應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: AUFR024N-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: 溝槽

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
AUFR024N-VB 適用于多個領(lǐng)域和模塊的高效能應(yīng)用:
1. **電源管理模塊**: 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,AUFR024N-VB 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC電源以及電池管理系統(tǒng)。它可以在這些模塊中實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),提升整體系統(tǒng)的能效。
2. **汽車電子**: 在汽車電子中,AUFR024N-VB 可以用于電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電動燃油泵和電動風(fēng)扇等高電流應(yīng)用。其高可靠性和耐高壓特性使其適合在嚴苛的汽車環(huán)境中使用。
3. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,AUFR024N-VB 能夠用于電機驅(qū)動、工業(yè)電源和可編程邏輯控制器(PLC)。其高開關(guān)頻率和低損耗特性確保了在這些應(yīng)用中的高效能和可靠性。
4. **消費電子**: AUFR024N-VB 也適用于筆記本電腦、臺式機和其他消費電子產(chǎn)品中的電源模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠有效提升這些設(shè)備的電源管理性能。
5. **通信設(shè)備**: 在通信基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,AUFR024N-VB 可用于電源分配和調(diào)節(jié)模塊。其高效的電流開關(guān)能力確保了設(shè)備的穩(wěn)定運行和能效提升。
總的來說,AUFR024N-VB 是一款性能優(yōu)異的MOSFET,適用于多種高效能應(yīng)用領(lǐng)域,提供可靠的電流開關(guān)和能效管理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12