--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AUFZ44V-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220封裝,專為高電流和高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。此MOSFET利用先進(jìn)的溝槽技術(shù),能夠承受高達(dá)60V的漏源電壓(VDS),并具有±20V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,在4.5V和10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,分別提供13mΩ和11mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。AUFZ44V-VB 的最大連續(xù)漏極電流(ID)為60A,使其在需要高電流和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: AUFZ44V-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: 溝槽

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
AUFZ44V-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中非常適用:
1. **電源管理系統(tǒng)**: 在電源轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊中,AUFZ44V-VB 可以有效地處理電力開關(guān),適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源適配器和電池管理系統(tǒng),其高電流能力確保了電力的穩(wěn)定轉(zhuǎn)換和高效管理。
2. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制系統(tǒng),AUFZ44V-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠優(yōu)化電力開關(guān),提升設(shè)備的性能和可靠性。
3. **消費(fèi)電子**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如高功率音響、計(jì)算機(jī)電源模塊等,AUFZ44V-VB 可以提供高效的電力開關(guān)解決方案,滿足高功率需求的同時(shí)保持較低的功耗和熱量生成。
4. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng),AUFZ44V-VB 能夠處理高電流負(fù)載,提供可靠的開關(guān)解決方案,確保系統(tǒng)在各種工況下的穩(wěn)定性。
5. **通信設(shè)備**: 在通信基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,AUFZ44V-VB 可用于電源調(diào)節(jié)和分配模塊,確保通信設(shè)備在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能,適合用于要求嚴(yán)格的通信基礎(chǔ)設(shè)施。
AUFZ44V-VB 是一款在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色的N溝道MOSFET,其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用,尤其適用于高效能電力開關(guān)和控制系統(tǒng)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛