--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AUIRF1404S-VB 產(chǎn)品簡介
AUIRF1404S-VB 是一款高性能單極N溝道MOSFET,封裝形式為TO-263。該MOSFET 設(shè)計用于處理高電流和中等電壓應(yīng)用,具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的散熱性能。其最大漏極-源極電壓(VDS)為40V,柵極-源極電壓(VGS)為±20V,采用溝槽技術(shù),以實(shí)現(xiàn)高效的電流控制和穩(wěn)定的工作性能。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號:** AUIRF1404S-VB
- **封裝:** TO-263
- **配置:** 單極N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V:** 6mΩ
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V:** 5mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 100A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用示例
#### 電源開關(guān)
AUIRF1404S-VB MOSFET 非常適合用于電源開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻幫助減少能量損失,提高電源轉(zhuǎn)換效率,并確保系統(tǒng)在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。這使其在電源管理系統(tǒng)中成為一個理想的選擇。
#### 電機(jī)驅(qū)動
在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,這款MOSFET 可以作為電機(jī)控制中的開關(guān)元件。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)能夠在高負(fù)載和高功率環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,適用于電動工具、電動汽車及其他電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)。
#### 汽車電子
AUIRF1404S-VB 適用于汽車電子系統(tǒng),例如電動窗戶控制、電動座椅調(diào)節(jié)和電動助力轉(zhuǎn)向。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電流處理能力滿足了汽車系統(tǒng)對可靠性和高效性的需求。
#### 工業(yè)設(shè)備
在工業(yè)設(shè)備中,這款MOSFET 適用于電源模塊和高功率開關(guān)。其優(yōu)秀的熱管理和高電流能力確保設(shè)備在高負(fù)載和高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,能夠滿足各種工業(yè)應(yīng)用的要求。
總結(jié)來說,AUIRF1404S-VB MOSFET 是一款多用途的高性能組件,適用于電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動、汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。其卓越的電氣特性和高電流處理能力使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它