--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AUIRF7805QTRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,封裝為SOP8。該MOSFET 采用先進的溝槽技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合各種低電壓應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)。其緊湊的SOP8封裝使其在空間受限的應(yīng)用中具有優(yōu)勢。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: 溝槽型

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: AUIRF7805QTRPBF-VB 非常適合用于低電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力確保高效的電能轉(zhuǎn)換,并減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換器的整體效率。
2. **負(fù)載開關(guān)**: 該MOSFET 適用于各種電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其能夠有效地控制電源開關(guān),提高設(shè)備的可靠性和壽命。
3. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,AUIRF7805QTRPBF-VB 可用于電池保護電路和電流控制。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電池的充放電效率,延長電池壽命。
4. **電動工具**: 在電動工具應(yīng)用中,該MOSFET 能夠提供高效的功率控制和電流處理,確保電動工具的高性能和可靠性。
5. **消費電子**: AUIRF7805QTRPBF-VB 適用于各種消費電子產(chǎn)品,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦中的電源管理和負(fù)載開關(guān)。其緊湊的SOP8封裝和優(yōu)異的電氣性能使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。
6. **汽車電子**: 在汽車電子應(yīng)用中,該MOSFET 可用于車載電子設(shè)備的電源管理和控制,如車載娛樂系統(tǒng)、LED照明和電動座椅。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了系統(tǒng)的高效和可靠運行。
AUIRF7805QTRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在各種低電壓和高效能應(yīng)用中表現(xiàn)出色,提供了高效、可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12